加速測試

      大多數半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助 TI 采取措施防止故障模式。

在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

以下是常見的半導體可靠性測試項目和條件：

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。

JEDEC 通過兩種方式測試 ESD：

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級應力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。

2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級應力，根據 JEDEC JESD22-C101 規范，模擬生產設備和過程中的充電和放電事件。